Trac nghiem mon linh kien dien tu

Màu nền
Font chữ
Font size
Chiều cao dòng

MÔN: CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

CHƯƠNG I: GIỚI THIỆU CHUNG VỀ CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ

Câu hỏi loại 1:

1/ Theo lý thuyết dải năng lượng của vật chất thì độ rộng vùng cấm EG của chất bán

dẫn có giá trị:

a EG = 0eV

b EG > 6eV

c EG = 0eV ÷ 6eV

d EG = 0eV ÷ 2eV

2/ Các tính chất vật lý điện cơ bản của chất điện môi là: hằng số điện môi ε, độ tổn

hao điện môi (Pa),

độ bền về điện Eđ.t., nhiệt độ chịu đựng và điện trở cách điện.

a Đúng.

b Sai.

3/ Dựa theo lịch sử phát triển của công nghệ điện tử thì cấu kiện điện tử được chia

làm 5 loại là cấu kiện điện tử

chân không, cấu kiện điện tử bán dẫn, cấu kiện vi mạch, cấu kiện điện tử nanô.

a Sai

b Đúng

4/ Hệ số nhiệt của điện trở suất α biểu thị:

A Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 1độ C .

B Sự thay đổi của điện trở khi nhiệt độ thay đổi 1độ C

C Sự tăng của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi 1 độ C .

D Sự thay đổi của điện trở suất khi nhiệt độ thay đổi một khoảng là ∆t.

5/ Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại N do:

a Các i-on âm quyết định.

b Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định.

c Hạt dẫn lỗ trống quyết định.

d Hạt dẫn điện tử quyết đinh.

6/ Tính dẫn điện của chất bán dẫn tạp loại P do:

A Các i-on âm quyết định.

B Hạt dẫn điện tử quyết định

C Hạt dẫn điện tử và hạt dẫn lỗ trống quyết định

D Hạt dẫn lỗ trống quyết định

7/ Các tính chất đặc trưng cho vật liệu từ là độ từ thẩm tương đối (µr), điện trở suất

(ρ), hệ số nhiệt của điện trở suất (α).

a Đúng

b Sai

8/ Tại nhiệt độ phòng, một miếng tinh thể silic nguyên chất hoạt động giống như

a Chất cách điện

b Một đoạn dây đồng.

c Chất dẫn điện

d Một nguồn điện

9/ Dòng điện trong chất điện môi gồm có 2 thành phần là

a Dòng điện phân cực và dòng điện rò

b Dòng điện phân cực và dòng điện trôi.

c Dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi

d Dòng điện khuếch tán và dòng điện phân cực.

10/ Vật liệu bán dẫn quang là hợp chất đặc biệt có liên kết hai, ba hoặc bốn thành

phần của các nguyên tố thuộc

a Nhóm 4 và nhóm 5

b Nhóm 2 và nhóm 4

c nhóm 3 và nhóm 6

d Nhóm 3 và nhóm 5.

Câu hỏi loại 2:

11/ Dòng điện trong chất bán dẫn gồm có:

a Ba thành phần là dòng điện rò, dòng điện phân cực, dòng điện khuếch tán

b Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện chuyển dịch (dòng phân

cực).

c Bốn thành phần là dòng điện rò, dòng điện khuếch tán, dòng điện phân cực và

dòng điện trôi

d Hai thành phần là dòng điện khuếch tán và dòng điện trôi

12/ Ferit từ mềm là vật liệu từ được dùng rộng rãi nhất ở tần số cao do có:

a Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thích

hợp

b Điện dẫn suất thấp, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thích

hợp

c Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu thấp, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấp

d Điện dẫn suất cao, độ từ thẩm ban đầu cao, giá trị cảm ứng từ bão hòa thấp

13/ Ký hiệu dưới đây là của cấu kiện điện tử nào?

(chịu k copy hình vào đc)

A Tụ điện

B Không phải ký hiệu của cấu kiện điện tử

C Bộ dao động thạch anh

D Điốt bán dẫn

14/ Chất điện môi thụ động thường được dùng làm

a Lõi cuộn dây và biến áp

b Tụ điện và chất cách điện.

c Điện trở

d Điện trở và tụ điện

Câu hỏi loại 3:

Một miếng bán dẫn silic được pha thêm photpho nồng độ 1,5.10^15.cm^(−3) Hãy tính nồng độ hạt dẫn trong miếng bán dẫn tại nhiệt độ 300 độ K . (cho biết ni = 1,5.10^10 cm^(−3) )

A Nn = 1,5.10^15.cm^(−3) ; Pn = 1,5.10^5. cm^( −3) .

B Nn = 1,5.10^15.cm^(−3) ; Pn = 10^5 .cm^( −3)

C Nn = 10^5.cm^( −3) ; Pn = 1,5.10^5 .cm^(−3)

D Nn = 1,5.10^15.cm^(−3) ; Pn = 1,5.10^(-5) .cm^(−3)

16/ Đồng nguyên chất là kim loại dẫn điện tốt vì điện trở suất của nó là A 0, 024μΩ.m

B 0, 0165μΩ.m

C 0, 0175μΩ.m

D 0,030 µΩ.m.

17/ Thạch anh thường được dùng làm các bộ dao động thạch anh có tần số dao động

a Rất ổn định

b Trung tần

c Rất thấp

d Rất cao

CHƯƠNG 2: CÁC CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ THỤ ĐỘNG

Câu hỏi loại 1

1/ Vật liệu cản điện dùng để chế tạo điện trở là

a Chất dẫn điện có điện trở suất thấp

b Tất cả các loại vật liệu trên

c Chất dẫn điện có điện trở suất cao

d Chất cách điện

2/ Trên thân điện trở thường được các nhà sản xuất ghi các tham số chính sau:

Trị số điện trở, dung sai của trị số điện trở, điện áp làm việc cho phép

a Đúng

b Sai

3/ Tecmixto là điện trở có hệ số nhiệt mang giá trị âm

a Sai

b Đúng

4/ Khi sử dụng tụ điện chúng ta cần chú ý các tham số chính của chúng là: trị số

dung lượng, dung sai, điện áp làm việc

a Đúng

b Sai

5/ Tổn thất của cuộn cảm được biểu thị trong sơ đồ mạch tương đương bởi

a Một tụ điện mắc song song với cuộn dây.

b Một điện trở và một tụ điện mắc song song với cuộn dây

c Một điện trở nối tiếp với cuộn dây.

d Một điện trở song song với cuộn dây.

6/ Biến áp cao tần dùng để truyền tín hiệu có chọn lọc thì dùng loại ghép lỏng,

còn biến áp cao tần dùng để biến đổi tổng trở thì dùng loại ghép chặt

a Sai

b Đúng

7/ Tụ hóa là loại tụ có chất điện môi là dung dịch hóa học

a Sai

b Đúng

8/ Varixto là điện trở mà trị số của nó được điều khiển bằng

a Nhiệt độ môi trường

b Dòng điện chạy qua nó.

c Điện áp đặt lên nó

d Từ trường xung quanh nó

9/ Tụ xoay có thể có nhiều ngăn. Mỗi ngăn có các lá tĩnh và các lá động chế tạo từ

đồng nguyên chất, đặt xen kẽ nhau

a Đúng

b Sai

Câu hỏi loại 2:

10/ Một điện trở màu có các vòng màu theo thứ tự: vàng - tím - lá cây - vàng kim có

trị số điện trở là

a 470 KΩ ± 10%

b 4700 KΩ ± 5%

c 4, 7 M Ω ± 10%

d 470 M Ω ± 5%

11/ "Luật điện trở" là một tham số cơ bản của:

a Biến trở

b Tất cả các loại điện trở.

c Điện trở màng kim.

d Điện trở than tổng hợp

12/ Khi tụ điện làm việc ở tần số cao thì phải chú ý đến:

a Tổn hao công suất trong tụ thông qua hệ số tổn hao DF.

b Cả 3 tham số trên.

c Dung sai của tụ điện tính theo %.

d Điện áp làm việc cho phép của tụ điện.

13/ Các tham số kỹ thuật cơ bản của cuộn cảm là

a Điện cảm (L), điện trở nối tiếp biểu thị tổn hao của cuộn cảm (RS), kích thước

cuộn cảm

b Hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C), số vòng dây (N).

c Điện cảm (L), tần số làm việc giới hạn (fgh), điện dung riêng của cuộn cảm (C).

d Điện cảm (L), hệ số phẩm chất (Q), điện dung riêng của cuộn cảm (C).

14/ Cuộn dây không lõi làm việc ở tần số cao thường yêu cầu phải có

a Điện cảm ổn định, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng nhỏ ở tần số làm việc

b Điện cảm ổn định, hệ số nhiệt cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việc

c Điện cảm thích hợp, hệ số phẩm chất cao, điện dung riêng lớn ở tần số làm việc

d Điện cảm cao, hệ số phẩm chất nhỏ, điện dung riêng cao ở tần số làm việc.

15/ Lõi trong cuộn dây ferit có thể điều chỉnh được để

a Thay đổi tần số làm việc giới hạn của cuộn dây.

b Thay đổi tổn thất của cuộn dây

c Thay đổi điện cảm của cuộn dây

d Thay đổi cả 3 tham số kỹ thuật trên

16/ Khi sử dụng điện trở ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng?

a Trị số điện trở, dung sai và công suất tiêu tán (nếu có).

b Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việc

c Trị số điện trở, dung sai, điện áp làm việc cho phép.

d Trị số điện trở, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại

17/ Khi sử dụng tụ điện ta phải biết được các tham số cơ bản nào của chúng?

a Trị số điện dung, dung sai và công suất tiêu tán

b Hệ số nhiệt, công suất tiêu tán và khoảng nhiệt độ làm việc

c Trị số điện dung, dung sai và điện áp làm việc cho phép

d Trị số điện dung, hệ số nhiệt và dòng điện cực đại

Câu hỏi loại 3:

18/ Biến áp âm tần có đáp ứng tần số không bằng phẳng trong khoảng tần số thấp

dưới 100Hz và

cao hơn 10KHz là do ảnh hưởng của điện cảm của cuộn sơ cấp và tổn hao năng

lượng của lõi sắt từ

(do điện cảm rò và điện dung phân tán giữa các vòng dây) tăng lên?

a Đúng

b Sai

19/ Một điện trở có ghi tri số là 1 kΩ và dung sai là 5%, hỏi trị số của điện trở có thể

là bao nhiêu?

A Khoảng từ 1KΩ ÷ 1,5K Ω

B Khoảng từ 950Ω ÷ 1000Ω

C Khoảng từ 950 Ω ÷ 1050 Ω

D Khoảng từ 0,95KΩ ÷ 10,5K Ω

CHƯƠNG 3: ĐIỐT BÁN DẪN

Câu hỏi loại 1.

1/ Tính chất vật lý cơ bản của lớp tiếp xúc P-N là khả năng dẫn điện tốt khi được

phân cực thuận và phân cực ngược

a Đúng

b Sai

2/ Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận thì

a Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

b Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

c Hàng rào thế năng giảm, bề dày lớp tiếp xúc giảm, điện trở lớp tiếp xúc giảm

d Hàng rào thế năng tăng, bề dày lớp tiếp xúc tăng, điện trở lớp tiếp xúc tăng

3/ Khi tiếp xúc P-N phân cực thuận, dòng điện thuận chảy qua lớp tiếp xúc là do

a Các hạt dẫn thiểu số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên.

b Các hạt dẫn đa số khuếch tán qua lớp tiếp xúc tạo nên

c Các hạt dẫn đa số chuyển động trôi dưới tác dụng của điện trường tiếp xúc tạo

nên.

d Cả hạt dẫn đa số và thiểu số chuyển động trôi dưới tác động của điện trường

tạo nên

4/ Nguyên lý hoạt động của đi ốt bán dẫn dựa vào tính dẫn điện một chiều của lớp

tiếp xúc P-N

a Sai

b Đúng

5/ Trên thực tế, đi ốt bán dẫn được phân cực thuận khi điện áp đặt lên đi ốt phải:

A U AK = U D

B U AK ≥ U D

C U AK ≤ U D

D U AK > 0V

6/ Ký hiệu sau đây chỉ cấu kiện nào:

(Tự ôn tập )

A Đi ốt zener

B Đi ốt Sốt-ky.

C Đi ốt tunen.

D Đi ốt chỉnh lưu.

7/ Varicap là đi ốt bán dẫn có chức năng như môt:

a Cuộn cảm

b Tụ điện

c Điện trở

d Biến áp

8/ Đi ốt chỉnh lưu chỉ hoạt động khi ở chế độ phân cực thuận

a Sai

b Đúng

9/ Đặc tính cơ bản của đi ốt chỉnh lưu là

a Giá trị dòng điện thuận cực đại và nhiệt độ làm việc cho phép

b Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp thuận cho phép.

c Giá trị dòng điện thuận cực đại và điện áp ngược cho phép

d Giá trị dòng điện thuận cực đại và công suất tiêu tán cực đại

10/ Ảnh hưởng của nhiệt độ lên dòng điện ngược bão hòa của đi ốt được tính xấp xỉ là

A Tăng gấp 3 lần đối với sự tăng nhiệt độ lên 10 C .

B Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 15 C .

C Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 10 C

D Tăng gấp 2 lần đối với mỗi một sự tăng nhiệt độ lên 20 C .

11/ Điốt có khả năng biến đổi dòng điện xoay chiều thành một chiều được gọi là

a Điốt chuyển mạch.

b Điốt ổn áp.

c Điốt tunen.

d Điốt chỉnh lưu.

12/ Điện áp ngược cho phép của điốt thường được chọn bằng

a 0,6 Uđ.t.

b Uđ.t.

c 0,8 Uđ.t.

d 0,5 Uđ.t.

13/ Điốt Sôtky là loại điốt có lớp tiếp xúc:

a Bán dẫn - chất cách điện

b Bán dẫn - bán dẫn

c Bán dẫn- vật liệu từ

d Bán dẫn - kim loại

Câu hỏi loại 2:

14/ Mối quan hệ giữa dòng điện và điện áp đặt trên đi ốt bán dẫn được biểu diễn

bằng công thức:

(Lỗi khi chuyển từ pdf ra doc. Mọi người tự nhớ rùi ghi lại nhé^^)

15/ Điện trở động (Ri) của đi ốt là một tham số quan trọng, nó được tính theo công

thức

( như trên )

16/ Điot bán dẫn được coi như một điện trở có trị số...

khi nó hoạt động ở chế độ

a Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp.

b Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao

c Phân cực thuận

d Phận cực ngược và với tín hiệu nhỏ

17/ Sơ đồ tương đương của đi ốt bán dẫn có dạng mạch như hình vẽ dưới khi nó làm

việc ở chế độ

A Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số cao

B Phân cực thuận và với tín hiệu nhỏ tần số thấp

C Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số cao

D Phân cực ngược và với tín hiệu nhỏ tần số thấp

18/ Khi đi ốt phân cực ngược thì dòng điện chạy qua nó là bao nhiêu?

A 300 mA

B 1 mA

C Không phải những giá trị trên

D 0 mA

19/ Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như

A Một điện trở thực

B Một nguồn điện áp thực

C Một nguồn điện áp lý tưởng

D Một nguồn dòng lí tưởng.

20/ Tham số quan trọng nhất của điốt xung là

a Thời gian xuống tf.

b Thời gian lên tr

c Điện áp đánh thủng Udt

d Thời gian phục hồi chức năng ngắt tp.

21/ Sơ đồ tương đương của một điốt phân cực thuận dưới đây được coi như

A Một nguồn dòng lí tưởng

B Một nguồn điện áp lý tưởng

C Một nguồn điện áp thực

D Một điện trở thực

22/ Sơ đồ tương đương của một đi ốt phân cực ngược dưới đây được coi như

A Một nguồn điện áp lý tưởng

B Một điện trở thực

C Một nguồn dòng lí tưởng

D Một nguồn điện áp thực

23/ Một điốt xung có thời gian phục hồi chức năng ngắt tp < 10ns thuộc loại

A Tốc độ chậm.

B Tốc độ quá chậm

C Tốc độ nhanh

D Tốc độ trung bình.

24/ Điốt Sốtky là loại điốt xung có tốc độ chuyển mạch

a Tốc độ trung bình.

b Tốc độ quá chậm

c Tốc độ nhanh

d Tốc độ chậm.

Câu hỏi loại 3:

25/ Cường độ điện trường tiếp xúc (E0) của lớp tiếp xúc P-N khi ở trạng thái cân bằng

động

được xác định theo công thức:

ERROR!

26/ Hãy tính cường độ dòng điện chạy qua đi ốt trong sơ đồ mạch dưới đây

A 14 mA

B 20 mA.

C 0 mA

D 14 A

27/ Hãy tính công suất tiêu tán của đi ốt zener khi biết điện áp nguồn cung cấp US = 24V,

điện áp trên đi ốt là 10V và dòng điện qua đi ốt là 20mA

A 200 W

B 200 mW

C 280 mW

D 480 mW

28/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ dưới đây với điốt silic, hãy tính dòng điện chạy trong

mạch khi điot phân cực thuận

A 10 mA

B 0A

C 9,3 A

D 9,3 mA

29/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy cho biết giá trị điện trở là bao nhiêu để có dòng

điện qua điốt xấp xỉ 10 mA?

A 430 KΩ

B 1 KΩ

C 430 Ω

D 500 Ω

30/ Một điốt có điện áp là 0,7V và dòng điện chạy qua nó là 50mA. Hỏi công suất

của nó là bao nhiêu?

a 3,5 W.

b 50 mW

c 35 mW

d 35 W

31/ Điện áp ổn định Uô.đ (VZ) của một điốt zener phụ thuộc vào

a Phương pháp tỏa nhiệt cho điốt

b Dòng điện ngược bão hòa

c Nồng độ tạp chất của chất bán dẫn

d Điện áp ngoài đặt lên nó

Câu hỏi loại 4:

32/ Hai điốt mắc nối tiếp. Điốt thứ nhất có điện áp phân cực là 0,75 V và điốt thứ hai

có điện áp phân cực là 0,8 V.

Nếu dòng điện đi qua điốt thứ nhất là 100mA, hỏi dòng điện đi qua điốt thứ hai là bao

nhiêu?

a 140 mA

b 120 mA

c 80 mA

d 100 mA

33/ Cho mạch điện như hình vẽ. Điện áp tại điểm nối giữa R1 và R2 đo được là 3 V.

Điện áp giữa đi ốt và điện trở 5 KΩđo được 0 V. Hỏi điều gì xảy ra trong mạch điện?

A Đi ốt bị đứt hỏng

B Đi ốt bị nối tắt

C Mạch hoạt động bình thường

D Điện trở bị nối tắt

34/ Có hai điốt mắc nối tiếp với nhau với nguồn điện cung cấp cả mạch là 1,4V.

Điốt thứ nhất có điện áp là 0,75V. Nếu dòng điện chạy qua đi ốt thứ nhất là 500mA,

hỏi điốt thứ hai có công suất là bao nhiêu?

a 325 mW

b Cả 3 đáp án trên đều không đúng

c 375 mW

d 300 mW

CHƯƠNG 4: TRANZITO LƯỠNG CỰC (BJT)

Câu hỏi loại 1.

1/ Trong tranzito lưỡng cực loại N-P-N, hạt dẫn đa số trong phần gốc là

a Cả hai loại hạt dẫn trên.

b Các lỗ trống

c Các điện tử tự do

d Không phải hai loại hạt dẫn trên

2/ Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc phát-gốc được

A Không dẫn điện

B Phân cực thuận.

C Phân cực ngược.

D Hoạt động ở vùng đánh thủng

3/ Khi tranzito hoạt động ở chế độ tích cực, lớp tiếp xúc góp-gốc được

a Hoạt động ở vùng đánh thủng

b Phân cực thuận

c Không dẫn điện

d Phân cực ngược.

4/ Phần gốc của các tranzito lưỡng cực rất mỏng và

a Có độ pha tạp thấp

b Là kim loại.

c Có độ pha tạp cao.

d Pha tạp chất là nguyên tố có hóa trị năm.

5/ Trong một tranzito loại N-P-N được phân cực ở chế độ tích cực,

các điện tử trong phần phát có đủ năng lượng để vượt qua hàng rào thế năng của

a Tất cả các vùng trên.

b Lớp tiếp xúc góp-gốc.

c Lớp tiếp xúc phát-gốc.

d Vùng tái hợp.

6/ Khi một điện tử tự do tái hợp với một lỗ trống trong phần gốc của tranzito thì điện

tử tự do này sẽ trở thành

a Một điện tử tự do khác.

b Một điện tử trong vùng dẫn.

c Một điện tử hóa trị.

d Một hạt dẫn đa số.

7/ Yếu tố nào quan trọng nhất để nói về dòng điện cực góp (IC)?

a Nó rất nhỏ.

b Nó bằng dòng điện cực gốc (IB) chia cho hệ số khuếch đại dòng điện.

c Nó được đo bằng miliampe.

d Nó xấp xỉ bằng dòng điện cực phát (IE).

8/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ ngắt thì:

a Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

b Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận.

c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

d Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

9/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ bão hòa thì

a Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

b Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

c Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận

d Tiếp xúc phát-gốc phân cực ngược và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận.

10/ Khi tranzito lưỡng cực hoạt động ở chế độ tích cực thì

A Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực thuận.

B Cả ba trường hợp phân cực trên đều đúng

C Tiếp xúc phát-gốc phân cực thuận và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược

D Tiếp xúc phát-gốc và tiếp xúc góp-gốc được phân cực ngược.

11/ Nguyên lý hoạt động của hai loại tranzito lưỡng cực P-N-P và N-P-N

là hoàn toàn giống nhau kể cả nguồn cung cấp bên ngoài đặt lên các chân cực?

a Sai

b Đúng

12/ Trong vùng tích cực của một tranzito lưỡng cực chế tạo từ silic, điện áp gốc-phát

(UBE) là

a 0,7 V

b 0V

c 1V

d 0,3 V

13/ Trong vùng bão hòa của một tranzito lưỡng cực, điện áp góp-phát (UCE) là

a 0,3 V

b 1V

c 0,7 V

d 0V

14/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là UBE = 0,7V;

UCE = 0,2 V.

Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào?

a Tích cực

b Bão hòa

c Ngắt

d Không phải các chế độ trên

15/ Một tranzito trong mạch điện được phân cực với các điện áp tĩnh là: UBE = 0 V;

U CE ≈ EC .

Hỏi tranzito đó hoạt động ở chế độ nào?

a Ngắt

b Bão hòa.

c Tích cực

d Không phải các chế độ trên

16/ Tranzito được coi như một chuyển mạch khi hoạt động ở chế độ

a Ngắt và tích cực

b Không phân cực

c Bão hòa và tích cực.

d Ngắt và bão hòa

17/ Trong tranzito lưỡng cực loại P-N-P hạt dẫn cơ bản nào tạo ra dòng điện góp?

a Các I on

b Hạt dẫn lỗ trống

c Tất cả các loại hạt dẫn trên

d Hạt dẫn điện tử

18/ Quan hệ giữa hệ số khuếch đại dòng điện α và β được mô tả qua công thức:

ERROR!!

Câu hỏi loại 2:

19/ Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện gốc trong tranzito lưỡng cực thể hiện

qua công thức

a IC = (β+1)IB + βICB0

b IC = β + (β+1)ICB0

c IC = βIB + ICB0

d IC = αIB + (α+1)ICB0

20/ Quan hệ giữa dòng điện góp và dòng điện phát trong tranzito lưỡng cực thể hiện

qua công thức

a IC = αIE + ICB0

b IC = αIE - ICB0

c IC = αIE

d IC = α(IE + ICB0)

21/ Một tranzito có dòng điện phát là 10 mA, dòng điện góp là 9,95 mA. Hỏi dòng

điện gốc là bao nhiêu?

a ≈ 1mA

b 0,5 mA

c 19,95 mA

d 0,05 mA

22/ Dòng điện cực góp là 5 mA, dòng điện gốc là 0,02 mA. Hỏi hệ số khuếch đại

dòng điện β là bao nhiệu?

a 250

b 100

c 50

d 25

23/ Một tranzito có hệ số khuếch đại dòng điện là 125 và dòng điện gốc là 30μA.

Hỏi dòng điện cực góp là bao nhiêu?

a 37,5 mA

b 3,75 A

c 375 μA

d 3,75 mA

24/ Tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A Phát chung (CE)

B Gốc chung (CB).

C Góp chung (CC).

D Dacling tơn

25/ Tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào?

A Gốc chung (CB).

B Phát chung (CE).

C Dacling tơn

D Góp chung (CC)

26/ Trong mạng 4 cực dưới, tranzito được mắc theo cách nào?

A Phát chung (CE).

B Góp chung (CC).

C Gốc chung (CB)

D Dacling tơn

27/ ERROR!

28/ Nếu hệ số khuếch đại dòng điện β = 200 và dòng điện cực góp là 100mA thì

dòng điện cực gốc sẽ là

a 2 mA

b 2A

c 20A

d 0,5 mA

29/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito hoạt động ở chế độ nào?

A Ngắt

B Không phải 3 chế độ trên

C Tích cực

D Bão hòa.

30/ Hãy cho biết tranzito trong mạch được mắc theo cách nào?

A Cực góp chung

B Cực phát chung

C Cực gốc chung

D Dac ling tơn

Câu hỏi loại 3:

31/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương RB = R1//R2

A 30 KΩ

B 170 Ω

C 5,866 KΩ

D 14 KΩ

32/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hãy xác định điện trở tương đương RB = R1//R2 ?

A 10 KΩ

B 20 KΩ

C 5 KΩ

D 7,5 KΩ

33/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ. Hãy xác đinh điện áp UB?

A 10 V

B 5V

C 7,5 V

D 6V

34/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết tranzito làm việc ở chế độ nào?

A Ngắt

B Bão hòa

C Không phải ba chế độ trên.

D Tích cực

35/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

A Mạch định thiên cố định

B Mạch định thiên hồi tiếp điện áp

C Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt

D Mạch định thiên phân áp

36/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

A Mạch định thiên hồi tiếp có ổn định nhiệt

B Mạch định thiên cố định có mạch ổn định nhiệt

C Mạch định thiên phân áp

D Mạch định thiên hồi tiếp điện áp

37/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch dưới được phân cực theo cách nào?

A Mạch định thiên cố định

B Mạch định thiên hồi tiếp điện áp có ổn định nhiệt

C Mạch định thiên hồi tiếp điện áp

D Mạch định thiên phân áp

38/ Cho mạch điện như hình vẽ dưới: Tranzito Q1 có hệ số β1 = 90, tranzito Q2 có hệ

số β2 = 70.

Hỏi hệ số khuếch đại dòng điện của cả mạch β là bao nhiêu?

A 20

6300

B 160

C 320

Câu hỏi loại 4:

39/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy xác định hệ số ổn định nhiệt S của mạch nếu hệ

số khuếch đại

dòng điện của tranzito β = 100?

A S = 34,1

B S = 101

C S = 15,1

D S = 9,5

40/ Cho mạch điện như hình vẽ có tranzito silic và UB = 10V; RB = 100KΩ.

Hỏi dòng điện cực gốc IB là bao nhiêu?

A 100 μA

B 93 μA

C 100 mA

D 93 mA

41/ Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp IC = 1 mA; điện trở RC =

3,6KΩ;

và điện áp nguồn cung cấp VC = 10V. Hỏi điện áp giữa cực góp- phát UCE bằng bao

nhiêu?

A 0,64 V

B 6,4 V

C 10 V

D 9 V

42/ Cho mạch điện như hình vẽ với dòng điện cực góp là 1 mA; nguồn điện cung cấp

VC = 10 V;

điện áp giữa cực góp-phát UCE = 6,4 V. Hãy xác đinh công suất của tranzito trong

mạch là bao nhiêu?

A 6,4 mW

B 10 W

C 6,4 W

D 10 mW

43/ Hãy xác định dòng điện IC của tranzito trong sơ đồ mạch điện sau. Tranzito chế

tạo từ silic có β =100 và ICB0 = 0mA

A 2,5 mA

B 3,1 mA

C 25 μA

D 3,3 mA

44/ Hãy xác định điện áp UCE của tranzito trong sơ đồ mạch dưới đây khi biết dòng

điện IC = 10 mA;

nguồn EC =10V; điện trở RC = 470Ω; RB = 100KΩ?

A 4,0 V

B 6,3 V

C 5,3 V

D 4,7 V

CHƯƠNG 5: TRANZITO TRƯỜNG (FET)

Câu hỏi loại 1.

1/ FET:

a Là một cấu kiện được điều khiển bằng dòng điện

b Có trở kháng và thấp

c Có hệ số khuếch đại điện áp rất cao

d Là một cấu kiện được điều khiển bằng điện áp

2/ Để tạo ra dòng điện trong mạch, một tranzito đơn cực sử dụng

a Chỉ mỗi hạt dẫn lỗ trống

b Chỉ một loại hạt dẫn: hoặc điện tử tự do, hoặc lỗ trống

c Chỉ mỗi điện tử tự do

d Cả hai loại hạt dẫn là điện tử tự do và lỗ trống

3/ Trở kháng vào của JFET

a Không thể đoán trước được

b Gần bằng zero

c Gần bằng 1

d Lớn vô cùng

4/ Điện áp cực Cửa của FET điều khiển

a Độ rộng của kênh

b Điện áp "ngắt" tỉ lệ

c Tất cả các điều kể ra ở đây

d Dòng điện máng

5/ Lớp tiếp xúc P-N giữa cực Nguồn và cực Cửa của JFET cần phải:

a Hoặc phân cực thuận, hoặc phân cực ngược

b Phân cực ngược

c Không phải tất cả các điều này

d Phân cực thuận

6/ Các hạt dẫn trong JFET kênh P là

a Các điện tử tự do và các lỗ trống

b Các lỗ trống

c Các điện tử tự do

d Có thể là điện tử tự do hoặc có thể là lỗ trống

7/ Để FET hoạt động ta phải phân cực sao cho các tiếp xúc P-N phải phân cực

thuận và các hạt dẫn

phải chuyển động từ cực nguồn qua kênh về cực máng để tạo nên dòng điện trong

FET?

a Đúng

b Sai

8/ MOSFET kênh sẵn hoạt động gần như

a Một nguồn dòng

b Một MOSFET kênh cảm ứng

c Một JFET

d Một điện trở

9/ Điện áp nào có tác dụng bật cho MOSFET kênh cảm ứng hoạt động?

a Điện áp khuỷu (UB0)

b Điện áp ngưỡng (UGSth)

c Điện áp ngắt (UGSngắt)

d Điện áp bão hòa (UDSbh)

10/ Khi một JFET ở chế độ ngắt thì các lớp tiếp xúc P-N (lớp nghèo hạt dẫn) sẽ:

A Chạm vào nhau

B Dẫn điện

C Cách xa nhau ra

D Trùm phủ lên nhau

11/ Trong một JFET kênh N, khi điện áp cực cửa càng âm hơn thì kênh dẫn nằm giữa

hai lớp tiếp xúc sẽ trở nên:

a Rộng hơn

b Hẹp hơn

c Không dẫn điện

d Dẫn điện

12/ Ở vùng thuần trở của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui

luật

a Đường thẳng

b Đường cong parabol

c Không thay đổi

d Đường cong hypecbol

13/ Ở vùng bão hòa của đặc tuyến ra trong FET, dòng điện tỉ lệ với điện áp theo qui

luật

a Đường cong hypecbol

b Đường cong parabol

c Không thay đổi

d Đường thẳng

14/ Vật liệu phần Nguồn và phần Máng của MOSFET kênh cảm ứng loại N là:

a Kim loại

b Bán dẫn thuần

c Bán dẫn tạp loại N

d Bán dẫn tạp loại P

15/ Trở kháng vào của JFET có giá trị nằm trong khoảng:

A (10^6 ÷ 10^8 )Ω

B (10^13 ÷ 10^15 )Ω

C (10^10 ÷ 10^13 ) KΩ

D (10^10 ÷ 10^13 )Ω

16/ Trở kháng vào của MOSFET có giá trị nằm trong khoảng

A (10^10 ÷ 10^13 )Ω

B (10^13 ÷ 10^15 )Ω

C (10^6 ÷ 10^8 )Ω

D (10^14 ÷ 10^16 ) KΩ

17/ Vật liệu kênh dẫn của JFET kênh N là chất

a Bán dẫn loại N

b Hợp kim

c Bán dẫn thuần

d Bán dẫn loại P

Câu hỏi loại 2:

18/ Muốn cho MOSFET kênh cảm ứng loại P hoạt động ta phải cấp nguồn điện phân

cực sao cho

A U GS ≥ U GSth và UDS < 0

B U GS ≤ U GSth và UDS > 0

C U GS ≥ U GSth và UDS > 0

D U GS ≤ U GSth và UDS < 0

19/ Một JFET có IDbh = 10mA và UDSbh = 2V, thì điện trở một chiều RDS sẽ bằng

a 2 KΩ

b 400 Ω

c 200 Ω

d 5 KΩ

20/ Một JFET có dòng điện máng bão hòa IDbh = 20mA và điện áp máng bão hòa

UDSbh = 5V.

Hỏi điện trở một chiều của JFET ở vùng thuần trở là bao nhiêu?

a RDS = 100 Ω

b RDS = 250 Ω

c RDS = 2,5 KΩ

d RDS = 250 KΩ

21/ Công thức tính dòng điện máng của tranzito trường là:

(tu viet nha!hem hien thi dc!!!)

22/ Tranzito 2N5902 có dòng điện máng bão hòa là 500µA và điện áp máng-nguồn

bão hòa UDSbh là 2V,

Hỏi điện trở máng RDS trong vùng thuần trở là bao nhiêu?

a RDS = 10 KΩ

b RDS = 4 KΩ

c RDS = 100 Ω

d RDS = 40 Ω

23/ Tranzito 2N5457 có giá trị dòng điện máng bão hòa IDbh là 5 mA và điện áp ngắt

UGSngắt là -6 V.

Hãy tính hệ số K khi điện áp UGS là 0 V?

a K=1

b K = 2.

c K = 6.

d K = 5.

24/ Tranzito 2N5902 có các tham số IG là 5 pA tại điện áp UGS bằng 20 V ở nhiệt độ

phòng.

Hỏi trở kháng vào của nó là bao nhiêu ở nhiệt độ phòng?

A Z V = 4.10 9 Ω

B Z V = 4.1015 Ω

C Z V = 5.1010 Ω

D Z V = 4.1012 Ω

25/ ERROR!

26/ Trong sơ đồ mắc cực nguồn chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của một

FET có thể đạt được là:

A μ = 10 ÷ 30

B μ = 150 ÷ 300

C μ <1

D μ = 5 ÷ 10

27/ Trong sơ đồ mắc cực máng chung, hệ số khuếch đại điện áp lớn nhất của một

FET có thể đạt được là

A μ = 150 ÷ 300

B μ = 10 ÷ 30

C μ = 5 ÷ 10

D μ <1

28/ Đặc tuyến điều khiển của FET : ID = f(UGS) khi UDS không đổi là một:

a Đường thẳng.

b Đường cong parabol.

c Đường cong hypecbol.

d Đường không xác định trước.

Câu hỏi loại 3:

29/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn UDS là bao nhiêu?

A UDS = 11 V

B UDS = 17 V

C UDS = 5 V

D UDS = 9 V

30/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết dòng điện máng ID là bao nhiêu?

A ID = 17 mA

B ID = 20 mA

C ID = 7,5 mA

D ID = 7,5 A

31/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ mạch được mắc theo cách nào?

A Cửa chung.

B Phát chung.

C Nguồn chung

D Máng chung.

32/ Hãy cho biết tranzito trong sơ đồ được mắc theo cách nào?

A Phát chung.

B Cửa chung.

C Máng chung.

D Nguồn chung

33/ Tranzito trong sơ đồ được phân cực cách nào?

a Tự phân cực.

b Phân cực hồi tiếp.

c Phân cực cố định.

d Phân cực phân áp.

34/ Hãy cho biết tranztito trong sơ đồ được phân cực theo cách nào?

a Phân cực tự cấp.

b Phân cực hồi tiếp.

c Phân cực phân áp

d Phân cực cố định.

Câu hỏi loại 4:

35/ Cho mạch điện như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn UDS là bao nhiêu?

a UDS = 1,2 V.

b UDS = 11V.

c UDS = 4 V.

d UDS = 13,8 V

36/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ, hãy cho biết điện áp máng-nguồn UDS là bao

nhiêu?

a UDS = 11 V.

b UDS = 0 V.

c UDS = 9 V.

d UDS = 7,5 V.

37/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ.

Hỏi điện áp trên cực cửa là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là ID = 15 mA?

aUG = 10 V

b UG = 0 V

c UG = 15 V

d UG = 5 V

38/ Cho sơ đồ mạch như hình vẽ.

Hỏi điện áp trên cực máng là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng là ID = 12 mA?

a UD = 25 V

b UD = 0 V

c UD = 15 V

d UD = 13 V

39/ Cho mạch điện như hình vẽ.

Hỏi điện áp UDS là bao nhiêu nếu biết dòng điện máng ID = 10 mA?

a UDS = 5 V

b UDS = 20 V

c UDS = 15 V

d UDS = 10 V

40/ Cho mạch điện như hình vẽ. Hỏi dòng điện máng là bao nhiêu?

a ID = 5,55 mA

b ID = 0,25 mA.

c ID = 0,5 mA

d ID = 4,72 mA

CHƯƠNG 6: CẤU KIỆN THYRISTOR

Câu hỏi loại 1.

1/ Thyristo có thể sử dụng như:

a Một điện trở.

b Một bộ khuếch đại.

c Một công tắc chuyển mạch

d Một nguồn dòng.

2/ Để kích thích một cấu kiện thyristo dẫn điện ta sử dụng

a Hồi tiếp dương.

b Hồi tiếp.

c Tranzito lưỡng cực.

d Sử dụng một dòng điện.

3/ Dòng điện vào nhỏ nhất mà nó có thể bật thyristo dẫn điện được gọi là

a Dòng điện đánh thủng.

b Dòng điện duy trì IH.

c Dòng điện kích thích IG.

d Dòng điện ngược bão hòa.

4/ Dòng điện anốt nhỏ nhất giữ cho thyristo dẫn điện được gọi là:

a Dòng điện ngược bão hòa.

b Dòng điện kích thích.

c Dòng điện đánh thủng.

d Dòng điện duy trì.

5/ Chỉnh lưu silic có điều khiển (SCR) có

a Ba vùng pha tạp chất bán dẫn.

b Ba lớp tiếp xúc P-N.

c Hai lớp tiếp xúc P-N.

d Bốn lớp tiếp xúc P-N.

6/ Để kích thích cho SCR dẫn điện người ta thường:

a Dùng dòng điện duy trì.

b Dùng cái ngắt điện.

c Dùng hiện tượng đánh thủng lớp tiếp xúc P-N.

d Kích thích cực điều khiển G.

7/ Triac tương đương với:

a Hai SCR đấu song song và cùng chiều nhau.

b Điốt có bốn lớp bán dẫn.

c Hai diac mắc song song.

d Hai SCR mắc song song và ngược chiều nhau.

8/ Điện áp cần thiết đặt lên cực phát của UJT để nó dẫn điện được gọi là:

a Điện áp đỉnh UP.

b Điện áp trũng UV.

c Điện áp kích khởi UK.

d Điện áp đỉnh khuỷu UB0.

Câu hỏi loại 2:

9/ Dùng UJT để tạo dao động xung người ta sử dụng đoạn đặc tuyến

a Điện trở âm và điện trở dương

b Ở vùng ngắt.

c Điện trở dương.

d Điện trở âm.

10/ Điện áp đỉnh của UJT được tính theo công thức

a UP = η UBB

b UP = η UBB + 0,7 V

c UP = UBB + 0,7 V

d UP = η UBB - 0,7 V

11/ Điều kiện để mạch dao động phóng nạp sử dụng UJT hoạt động tốt là1 F > CT ≥ 0, 01μ Fa Dòng điện I > IV và tụ điện μ

a 1μ F > CT ≥ 0, 01μ F

b Dòng điện IV > I > IP và tụ điện

c Dòng điện I < IP và tụ điện

d Dòng điện I < IP và I > IV

12/ Khi SCR đã dẫn điện, ta ngắt dòng điện điều khiển thì SCR sẽ ngừng dẫn?

a Đúng.

b Sai.

13/ Tác dụng của dòng điện kích thích đưa vào cực G của SCR là

a Giảm hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P1.

b Giảm hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn N1

c Gia tăng hạt dẫn thiểu số cho lớp bán dẫn P2

d Gia tăng hạt dẫn đa số cho lớp bán dẫn P2

CHƯƠNG 7: VI MẠCH TÍCH HỢP (IC)

Câu hỏi loại 1.

1/ Vi mạch tích hợp là cấu kiện có ưu điểm cơ bản:

a Tiêu thụ ít năng lượng.

b Tất cả các điều kể ở đây.

c Kích thước nhỏ.

d Độ tin cậy cao.

2/ Loại vi mạch tích hợp được sản xuất và sử dụng nhiều nhất là

a Vi mạch lai.

b Vi mạch màng mỏng.

c Vi mạch bán dẫn.

d Vi mạch màng dày.

3/ Công nghệ chế tạo vi mạch bán dẫn là:

a Công nghệ bốc hơi và lắng đọng trong chân không.

b Kết hợp tất cả các công nghệ này.

c Công nghệ plana và plana-epitaxi.

d Công nghệ quang khắc.

4/ Điốt trong vi mạch được tích hợp dưới dạng

a Điốt nguyên thể.

b Một lớp tiếp xúc P=N.

c ột tụ điện.

d Tranzito được nối tắt chân cực.

5/ Vi mạch khuếch đại thuật toán thuộc loại:

a Vi mạch lai.

b Vi mạch số.

c Vi mạch tuyến tính.

d Tổ hợp vi mạch tranzito-điốt.

6/ Tầng vào của IC khuếch đại thuật toán là bộ khuếch đại vi sai để có:

a Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại lớn.

b Đảm bảo an toàn cho các tranzito trong IC.

c Trở kháng ra nhỏ.

d Dải tần số làm việc rộng.

7/ IC khuếch đại thuật toán có

a Hai lối vào và hai lối ra.

b Một lối vào và một lối ra.

c Ba lối vào và một lối ra.

d Hai lối vào và một lối ra.

8/ Một bộ khuếch đại thuật toán tốt cần có

a Hệ số khuếch đại vi sai nhỏ và hệ số khuếch đại đồng pha lớn.

b Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha nhỏ.

c Trở kháng vào lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn.

d Hệ số khuếch đại vi sai lớn và hệ số khuếch đại đồng pha lớn.

9/ Vi mạch số hiện nay được chế tạo trên cơ sở:

a Chỉ các tranzito trường.

b Các tranzito, các tụ điện, các điện trở và cuộn dây.

c Chỉ các tranzito lưỡng cực.

d Các tranzito lưỡng cực và tranzito trường.

10/ Vi mạch số được sử dụng rộng rãi hiện nay là loại

a Họ TTL và họ CMOS.

b Họ DTL.

c Họ RTL.

d Họ TL.

11/ Vi mạch nhớ là một cấu kiện điện tử có khả năng:

a Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số thập phân.

b Lưu trữ các chữ cái và các chữ số.

c Lưu trữ các dữ liệu dưới dạng số nhị phân.

d Lưu trữ dữ liệu và các chương trình điều khiển dưới dạng số nhị phân.

12/ ROM là bộ nhớ có khả năng đọc và viết?

a Đúng.

b Sai.

13/ RAM là bộ nhớ tạm thời, khi mất điện cung cấp thì tin tức trong nó bị xóa ngay?

a Sai.

b Đúng.

14/ EPROM là bộ nhớ:

a Chỉ được viết một lần do người sản xuất.

b Chỉ được viết một lần do người sử dụng.

c Có thể xóa đi và viết lại.

d Có khả năng đọc/viết.

15/ LSI là vi mạch tích hợp có chứa

a Từ 10 đến 100 phần tử.

b Lớn hơn 100 phần tử.

c Lớn hơn 1000 phần tử.

d Đến 10 phần tử.

Câu hỏi loại 2:

16/ Bộ khuếch đại thuật toán có thể khuếch đại:

a Chỉ tín hiệu xoay chiều (ac).

b Cả tín hiệu xoay chiều (ac) và một chiều (dc).

c Không tín hiệu xoay chiều (ac) và không tín hiệu một chiều(dc).

d Chỉ tín hiệu một chiều (dc).

17/ Tầng vào của một bộ khuếch đại thuật toán thường là:

a Bộ khuếch đại cao tần.

b Bộ khuếch đại mắc cực phát chung (CE).

c Bộ khuếch đại vi sai.

d Bộ khuếch đại công suất chế độ B.

18/ Tại tần số khuếch đại đơn vị, hệ số khuếch đại điện áp của bộ khuếch đại thuật

toán bằng:

a KU = Zero

b KU = 1.

c KU = KV 0 / 2

d KU = KU0.

19/ Trở kháng vào của bộ khuếch đại thuật toán có tầng vào dùng JFET là:

a Trung bình.

b Rất cao.

c Thấp.

d Cao.

20/ Nếu hai nguồn cung cấp của một bộ khuếch đại thuật toán là ±15 V,

thì điện áp ra cực đại của nó là bao nhiêu?

a 30V

b ±12V

c ±15V

d ± (12V ÷ 14V )

21/ Độ dốc đặc tuyến truyền đạt của bộ khuếch đại thuật toán thể hiện

a Trở kháng vào.

b Hệ số khuếch đại điện áp.

c Trở kháng ra.

d Điện áp ra.

22/ Một bộ khuếch đại thuật toán có hệ số khuếch đại điện áp là 500.000.

Nếu điện áp ra là 1 V, thì điện áp và sẽ là

a 2 mV.

b 5 mV.

c 2 µV.

d 10 mV.

23/ Ở tần số cao hơn tần số cắt, hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại thuật toán giảm

với tốc độ

a 0,707/decade.

b 2 / 2 dB/decadeb

c 10 dB/decade

d 20 dB/decade

24/ Hệ số khuếch đại điện áp của một bộ khuếch đại thuật toán bằng 1 tại:

a Tần số dao động.

b Tần số cắt.

c Tần số khuếch đại đơn vị.

d Dải tần số làm việc.

25/ Một IC 741C có các tham số:

a Trở kháng vào khoảng 2 MΩ

b Tất cả các tham số đã nêu ra.

c Hệ số khuếch đại điện áp bằng khoảng 100.000

d Trở kháng ra khoảng 75 Ω

Câu hỏi loại 3:

26/ Cho mạch như hình vẽ. Hỏi hệ số khuếch đại của mạch là bao nhiêu?

a Ku = 10

b Ku = -100

c Ku = 11

d Ku = -10

27/ Hệ số khuếch đại điện áp của mạch là bao nhiêu?

a Ku = -10

b Ku = 11

c Ku = -11

d Ku = 110

CHÚC MỌI NGƯỜI THÀNH CÔNG!!!

.

Bạn đang đọc truyện trên: Truyen2U.Pro